331
تخطو سامسونج خطوة كبيرة نحو دقة التصنيع المتقدمة 1.4 نانومتر مع بدء الشركة اختبارات مبكرة على معالج Exynos القادم. وبحسب التقارير، سيأتي معالج Exynos المرتقب بترددات قصوى أعلى وذاكرة تخزين مؤقت ضخمة على مستوى النظام SLC بسعة 96MB، إلى جانب العديد من الترقيات اللافتة.
وبما أن سامسونج تركّز بدرجة أكبر على تحسين استقرار العوائد الإنتاجية في دقة تصنيع 2 نانومتر، فمن المتوقع أن نشهد تصنيع بضعة أجيال إضافية من معالجات 2 نانومتر GAA قبل دخول تقنية 1.4 نانومتر مرحلة الإنتاج الضخم. وهذا يعني أيضًا أن معالج Exynos بدقة 1.4 نانومتر الخاضع للاختبار ليس على الأرجح Exynos 2700 غير المُعلن. ومع ذلك، تبدو التفاصيل المبكرة لهذا المعالج بدقة 1.4 نانومتر واعدة.
سيضم المعالج مجموعة CPU مكوّنة من 10 أنوية موزعة بتكوين 2+4+4 وتصل النواتان الرئيسيتان إلى سرعة قصوى تبلغ 4.50GHz، بينما يصل Exynos 2600 الحالي إلى 3.8GHz. وهذا يمثل قفزة قوية بنسبة 19% في السرعة القصوى. وإلى جانب ذلك، تعمل أنوية الأداء الأربع بسرعة 3.80GHz، بينما تعمل أنوية الكفاءة الأربع بسرعة 2.00GHz.
وربما يكون التطور الأكثر إثارة في هذا المعالج هو دمج ذاكرة SLC بسعة 96MB. ويشير التسريب أيضًا إلى وجود عرض ناقل فائق الاتساع لتقليل زمن الاستجابة بين أنوية CPU ووحدة GPU. ويمكن لذاكرة SLC الكبيرة تخزين قدر أكبر بكثير من البيانات المستخدمة بشكل متكرر، ما يساعد على تحقيق زمن استجابة أقل للذاكرة وتعزيز عرض النطاق الترددي. ويقلل ذلك فعليًا من حاجة مكونات مثل CPU وGPU وNPU وISP إلى البقاء نشطة طوال الوقت لإرسال المعلومات إلى الذاكرة المؤقتة الأكبر.
لكن إنتاج معالجات مزودة بذاكرة SLC كبيرة يكون أكثر تكلفة، لأنها تشغل مساحة كبيرة من رقاقة السيليكون. ومع زيادة حجم الرقاقة، ترتفع تكاليف الإنتاج أيضًا. ومن المهم الإشارة إلى أن أعلى سعة لذاكرة SLC في معالجات الهواتف الذكية تبلغ 10MB وهي موجودة في Dimensity 9500. ورفع هذه السعة إلى 96MB قد يؤدي إلى حجم رقاقة غير متوافق مع هيئات الهواتف الذكية. ومع ذلك، يمكن استخدامه في فئات عديدة أخرى من الأجهزة.
ومع استهداف سامسونج عام 2029 لبدء الإنتاج الضخم لدقة تصنيع 1.4 نانومتر، لا يزال هناك متسع كبير من الوقت للتطوير والتحسينات.
