تشير أحدث التسريبات إلى أن آبل تعتزم تزويد هاتفي iPhone 18e و iPhone 18 بذاكرة وصول عشوائي (RAM) بسعة 9 جيجابايت، بزيادة عن سعة 8 جيجابايت المستخدمة في الجيل السابق، وذلك بهدف تشغيل ميزات Apple Intelligence بسلاسة أكبر على الأجهزة نفسها دون الاعتماد على المعالجة السحابية. ويأتي هذا التوقع وفقاً لاثنين من أبرز المحللين التقنيين، هما مينغ-تشي كو من شركة TF International Securities وجيف بو من GF Securities.
وتتطلب آبل حالياً سعة 8 جيجابايت لدعم ميزات الذكاء الاصطناعي الأساسية في هواتفها، بينما تشترط سعة 12 جيجابايت لتشغيل ميزات الإملاء المعززة بالذكاء الاصطناعي وأصوات Siri التعبيرية. ومن المتوقع إطلاق الهواتف الجديدة في شهر مارس المقبل.
وتعتبر هذه الترقية مفاجئة في الأوساط التقنية بالنظر إلى النقص الحالي في شرائح ذاكرة DRAM المخصصة للهواتف الذكية وارتفاع أسعارها. ويعود هذا النقص إلى الطلب الكبير على مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي، مما دفع كبرى الشركات المصنعة للذواكر، مثل Samsung و Micron و SK Hynix، إلى تحويل قدراتها التصنيعية لإنتاج شرائح الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي (HBM) بدلاً من ذواكر DRAM التقليدية.
وتكتسب شرائح HBM أهميتها من تصميمها الذي يعتمد على التكديس العمودي لقوالب الذاكرة بجوار المعالج، بخلاف شرائح DRAM القياسية التي توضع بشكل مسطح على اللوحة. ويوفر هذا التصميم مسار بيانات أوسع ونطاقاً ترددياً هائلاً مع استهلاك طاقة أقل. ويسمح الجيل الأحدث HBM4 بمضاعفة مسارات البيانات لترتفع معدلات النقل إلى ما يتجاوز 2 أو 3 تيرابايت في الثانية، وهو ما يعد ضرورياً لتدريب نماذج الذكاء الاصطناعي المتقدمة.
وإلى جانب ترقية الذاكرة العشوائية، تشير التسريبات إلى أن هاتف iPhone 18e سيأتي بشاشة OLED بحجم 6.1 بوصة وبدقة 1170 × 2532 بكسل ومعدل تحديث 60Hz، مدعوماً بمعالج A20 الأحدث المبني بدقة تصنيع 2nm. ويتوفر الهاتف بخيارات تخزين بسعة 256 جيجابايت أو 512 جيجابايت، فيما يضم كاميرا خلفية أحادية بدقة 48 ميجابكسل وكاميرا أمامية بدقة 24 ميجابكسل.