118
تواجه الهواتف الذكية مشكلة في الذاكرة، وهي ليست من النوع الذي يمكن لتحديث برمجي إصلاحه. وكما هو معروف، تحاول الشركات المصنعة للهواتف تشغيل نماذج الذكاء الاصطناعي بشكل أكبر مباشرة على الأجهزة، ولحسن الحظ أصبحت معالجات الهواتف قادرة على تشغيل نماذج LLM محليًا.
لكن تقنية ذاكرة LPDDR الحالية لديها حدود في سرعة تغذية هذه المعالجات بالبيانات. وهذه أحد الأسباب التي تجعل مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي تعتمد على ذواكر HBM، أو الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي.
ووفقًا لتقرير جديد، يجري تطوير صيغة ذاكرة جديدة تحمل اسم LLW، وهي اختصار لعبارة Low Latency Wide DRAM، لمعالجة هذه المشكلة تحديدًا.
تستمد LLW بحسب التقارير فكرتها من HBM، التي تحقق سرعة عالية عبر وضع طبقات متعددة من الذاكرة بالقرب من المعالج وربطها عبر واجهة عريضة للغاية. وتكون النتيجة نطاقًا تردديًا أعلى بكثير، أسرع بنحو 10 إلى 15 مرة من أفضل ذاكرة LPPDR حالية.
لكن HBM تتطلب أيضًا حلول تغليف وتبريد معقدة لا تلائم الهواتف الذكية عمليًا. ومن المتوقع أن تعالج LLW ذلك عبر توفير نطاق ترددي أعلى وزمن تأخير أقل من ذاكرة LPDDR التقليدية، من دون إدخال قيود الحرارة والمساحة المرتبطة بتصاميم الذاكرة المكدسة.
ومع ذلك فالمعلومات المتاحة حتى الآن تأتي من مدونين ومسرّبين في القطاع، وليس من إعلانات رسمية من الشركات. وفي هذا السياق، تشير تسريبات المسرّب Fixed Focus Digital إلى أن LLW قد تخفض استهلاك الطاقة بنحو 50%، مع تحسين الأداء بنحو 1.5 مرة.
أما بالنسبة إلى التوفر، فتشير التسريبات نفسها إلى أن LLW لا تزال بحاجة إلى عدة سنوات قبل اعتمادها على نطاق واسع. وبشكل أكثر تحديدًا، لا يُتوقع نشرها على نطاق أكبر قبل النصف الثاني من عام 2027. ويُقال إن شاومي وهواوي قد تكونان من أوائل الشركات التي تعتمدها، رغم أن أيًا من الشركتين لم تناقش هذه التقنية علنًا.
