Samsung قد تنضم إلى TSMC لتصنيع شريحة Snapdragon 8 Gen 4 !

Samsung قد تنضم إلى TSMC لتصنيع شريحة Snapdragon 8 Gen 4 !

وفقاً للعديد من التقارير، ركزت Samsung حالياً على إعادة شريحة Exynos للمنافسة، حيث تحاول الشركة إعادة تقديم الشرائح في أجهزتها الرئيسية، كما جاء في التقارير بأن المعالج Exynos 2400 سيظهر في طرز معينة من سلسلة Galaxy S24، وبعد عام من إطلاق سلسلة Galaxy S24 يمكن أن تأخذ Samsung الأمور إلى ما هو أبعد من ذلك، إذ يمكن أن تبدأ الشركة في تخصيص رقائق Snapdragon الخاصة بها، وسيكون Samsung Foundry مسؤولاً عن تصنيع رقائق Snapdragon المخصصة.

وفقاً لـ Tipster Revegnus الشهير (Tech_Reve)، ستستفيد TSMC من عملية 3nm (N3E) لتصنيع شريحة Snapdragon 8 Gen 4، ومن ناحية أخرى ستتعامل Samsung مع تصنيع Snapdragon 8 Gen 2 لرقائق Galaxy، حيث ستقوم الشركة الكورية الجنوبية ببناء الشريحة باستخدام عملية  Samsung Foundry’s 3nm GAP (3GAP).

لا يمكننا تأكيد دقة هذه المعلومات، ومع ذلك إذا كان الأمر كذلك فهذا يعني أن Samsung قد اتخذت خطوة عملاقة في صناعة معالجة الرقائق، وسيعني هذا ببساطة أن مجموعة شرائح 3nm من سامسونج يمكنها أخيراً أن تتوافق مع شريحة TSMC، ونحن نتحدث على وجه الخصوص عن الأداء والكفاءة.

إنّ هذه المعلومات تستند فقط إلى الشائعات، ولا يزال أمام Samsung Galaxy S25 عامين، وبالتالي فإن المعلومات المتعلقة بهذا الأمر ستصبح أكثر وضوحاً مع اقترابنا من إطلاق سلسلة Galaxy S25.

وإذا حدث ذلك فهذا يعني أيضاً بأن هناك شركتين سيتعين عليهما إنتاج شريحة Snapdragon 8 Gen 4، حيث أنّ هناك حادثة مماثلة حدثت مع شريحة آبل A9، عندما تم تصميم شريحة A9 بواسطة كل من Samsung و TSMC، إذ قامت سامسونج ببناء الشريحة بمعمارية 14 نانومتر، وفي الوقت نفسه قامت TSMC ببنائها على عملية 16 نانومتر، وبينما كانت شريحة A9 من سامسونج أصغر حجماً كان إصدار TSMC أكثر كفاءة في استهلاك الطاقة.

كما يمكن أن تتعاون شريحة Snapdragon 8 Gen 4 مع شريحة Exynos الخاصة بشركة Samsung في سلسلة Galaxy S25، إذ قد يتم بناء كلا الرقائق من خلال عملية 3nm GAP من Samsung Foundry، ولهذا السبب يمكنهم تقديم مستويات أداء متماثلة، وبالتأكيد قد يكون هناك اختلافات قليلة في الأداء، ولكنّ ذلك سيظهر بعد إطلاق كلا الرقائق.



Facebook Twitter Copy Link WhatsApp